Ιδρυματικό Αποθετήριο
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN  |  EL

Αναζήτηση

Πλοήγηση

Ο Χώρος μου

Ανάλυση της επίδρασης ακτινοβολίας σε τεχνολογία CMOS σε υψηλού επιπέδου συνολική ιονίζουσα δόση (TID)

Zografos Apostolos

Πλήρης Εγγραφή


URI: http://purl.tuc.gr/dl/dias/097B5D2F-C621-4B19-B2C6-1B3B104426F1
Έτος 2017
Τύπος Διπλωματική Εργασία
Άδεια Χρήσης
Λεπτομέρειες
Εμφανίζεται στις Συλλογές

Περίληψη

Την τελευταία δεκαετία, έχουν αναπτυχθεί παγκοσμίως ένα πλήθος από εφαρμογές που λειτουργούν σε συνθήκες υψηλού επιπέδου ιονίζουζας ακτινοβολίας. Οι περιοχές εφαρμογών εκτείνονται από βιοϊατρικό εξοπλισμό μέχρι διαστημικές εφαρμογές και πειράματα φυσικής υψηλής ενέργειας, όπως ο Μεγάλος Επιταχυντής Αδρονίων (Large Hadron Collider - LHC). Αυτές οι εφαρμογές έχουν επιφέρει πολλά επιστημονικά επιτεύγματα, τα οποία μπορούν να έχουν ση-μαντικές επιπτώσεις στην εξέλιξη της ανθρωπότητας. Για την επιδίωξη περεταίρω ανάπτυξης αυτών καθώς και καινούριων εφαρμογών, η βελτίωση των ηλεκτρονικών σε τέτοιες συνθήκες είναι μείζονος σημασίας.Το παραπάνω αποτελεί το εφαλτήριο πολλών ερευνών και πειραμάτων σχετικά με την επίδραση υψηλής ιονίζουσας ακτινοβολίας σε τεχνολογία CMOS, η οποία είναι η κυρίαρχη στη σχεδίαση ηλεκτρονικών κυκλωμάτων.Η παρούσα διπλωματική, η οποία επιδιώκει να συμβάλει σε αυτό το πεδίο, χετίζεται με την έρευνα του CERN, τον Ευρωπαϊκό Οργανισμού Πυρηνικών Ερευνών. Βασίζεται σε δεδομένα που προκύπτουν από πειράματα που διεξάγονται στο CERN, τα οποία περιλαμβάνουν μετρήσεις ηλεκτρικών χαρακτηριστικών MOSFET, τα οποία εκτίθενται σε ακτίνες Χ (X rays) σε πολύ υψηλή συνολική ιονίζουσα δόση (Total Ionizing Dose - TID). Υλοποιούνται συγκεκριμένες μέθοδοι για την εξαγωγή ηλεκτρικών παραμέτρων τρανζίστορ διαφορετικών γεωμετριών και κάτω από την επίδραση αυξανόμενων επιπέδων συνολικής ιονίζουσας δόσης. Οι εξεταζόμενοι παράμετροι είναι σημαντικοί για ψηφιακή καθώς και αναλογική σχεδίαση ολοκληρωμένων κυκλωμάτων. Μία προσέγγιση με απλό μοντέλο προτείνεται για την εκτίμηση των επιπτώσεων της υψηλής ακτινοβολίας σε συνάρτηση με την γεωμετρία και το επίπεδο TID. Οι εκτιμήσεις δείχνουν διαφορετική επίδραση της υψηλής ακτινοβολίας σε τρανζίστορ τύπου nMOS και pMOS. Αυτή η έρευνα προ-σφέρει καινούρια στοιχεία σχετικά την επίδραση της ακτινοβολίας στην εξέταση διαφορετικών γεωμετριών της εν λόγω τεχνολογίας. Τα μοντέλα και οι παράμετροί τους αποτιμούνται χρήσιμα στην εκτίμηση της ιονίζουσας ακτινοβολίας σε διαφορετικές γεωμετρίες και επίπεδα TID.

Διαθέσιμα αρχεία

Υπηρεσίες

Στατιστικά