Ιδρυματικό Αποθετήριο
Πολυτεχνείο Κρήτης
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN
|
EL
| URI: | http://purl.tuc.gr/dl/dias/8CFAF1A0-4292-4CDB-8C97-3FB93E9BC1BC | ||
| Έτος | 2019 | ||
| Τύπος | Διπλωματική Εργασία | ||
| Άδεια Χρήσης |
|
||
| Βιβλιογραφική Αναφορά | Βησσάριος Δράκος, "Μελέτη τρανζίστορ επίδρασης πεδίου MOS τύπου-P με κυκλική πύλη – ηλεκτρικός χαρακτηρισμός και μεταβλητότητα", Διπλωματική Εργασία, Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών, Πολυτεχνείο Κρήτης, Χανιά, Ελλάς, 2019 https://doi.org/10.26233/heallink.tuc.84072 | ||
| Εμφανίζεται στις Συλλογές |
Τα MOSFET είναι με διαφορά τα τρανζίστορ που χρησιμοποιούνται ευρέως στα ψηφιακά κυκλώματα καθώς συναντώνται κατά χιλιάδες σε δομές μικροεπεξεργαστών και μικροκυκλωμάτων μνήμης. Διαχωρίζονται ανάλογα του είδους προσμίξεων του ημιαγωγού τύπου-P και τύπου-N, με στόχο την δημιουργία συμπληρωματικών ζευγών τρανζίστορ MOS να δημιουργήσουν, στη λογική CMOS, κυκλώματα διακοπτών πολύ χαμηλής κατανάλωσης. Τα ίδια στοιχεία χρησιμοποιούνται και για αναλογικά ολοκληρωμένα ηλεκτρονικά και συνδυάζονται με τα ψηφιακά ηλεκτρονικά σε συστήματα-on-chip (systems-on-chip, SoC).Σήμερα πολλά ολοκληρωμένα κυκλώματα έχουν σχεδιαστεί για να λειτουργούν σε περιβάλλοντα ακτινοβολίας όπως σε ιατρικές, αεροναυπηγικές, διαστημικές, πυρηνικές εφαρμογές και πειράματα φυσικής υψηλής ενέργειας. Η επίδραση όμως, της ιονίζουσας ακτινοβολίας αυτής υποβαθμίζει την απόδοση και την αξιοπιστία των κοινών MOSFET. Η ενδεδειγμένη λύση γι’ αυτές τις εφαρμογές είναι τα τρανζίστορ με κλειστή πύλη (enclosed gate transistors) λόγω της διαφορετικής γεωμετρίας και δομής που εμποδίζει τη διαρροή ρεύματος στην άκρη της ενεργής περιοχής τους. Ωστόσο, τα τρανζίστορ με κυκλικές πύλες παρουσιάζουν και περιορισμούς όπως το αυξημένο εμβαδόν ή η περιοσμένη ευελιξία στην επιλογή γεωμετριών.Σε αυτή τη διπλωματική μελετώνται τα τρανζίστορ κλειστής πύλης επίδρασης πεδίου MOS τύπου -P με κυκλική πύλη. Πιο συγκεκριμένα παρουσιάζεται μια στατιστική μελέτη στα αποτελέσματα των ηλεκτρικών παραμέτρων (τάση κατωφλίου, κινητικότητα, ο συντελεστής κλήσης, διαγωγιμότητα, σχέση τάσης-ρεύματος) για εφτά διαφορετικές γεωμετρίες των συγκεκριμένων MOSFETS σε γραμμική λειτουργία αλλά και σε λειτουργία κορεσμού. Ακόμα υλοποιείται μια εκτενή μελέτη όσον αφορά το ταίριασμα των τριών βασικών παραμέτρων (τάση κατωφλίου, κινητικότητα, συντελεστής κλήσης) εξάγοντας χρήσιμα συμπεράσματα ως προς τη μεταβλητότητα τους.
Copyright © DIAS 2013
