Ιδρυματικό Αποθετήριο
Πολυτεχνείο Κρήτης
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN
|
EL
| URI: | http://purl.tuc.gr/dl/dias/F6E1368A-E6CC-4EBC-A502-2C95A547C3CC | ||
| Έτος | 2020 | ||
| Τύπος | Διπλωματική Εργασία | ||
| Άδεια Χρήσης |
|
||
| Βιβλιογραφική Αναφορά | Νικόλαος Γκουβάτσος, "Σχεδίαση CMOS ενισχυτή βιολογικών σημάτων χαμηλής ισχύος και χαμηλού θορύβου", Διπλωματική Εργασία, Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών, Πολυτεχνείο Κρήτης, Χανιά, Ελλάς, 2020 https://doi.org/10.26233/heallink.tuc.87060 | ||
| Εμφανίζεται στις Συλλογές |
Σε αυτήν την εργασία θα μελετήσουμε τη διαδικασία σχεδίασης ενός ενισχυτή χαμηλής ισχύος και χαμηλού θορύβου με εφαρμογή στην ενίσχυση εγκεφαλικών σημάτων. Ο βιο-ενισχυτής υλοποιήθηκε σε CMOS τεχνολογία 90 nm έτσι ώστε να είναι κατάλληλος για ενσωμάτωση σε πολυκάναλα καταγραφικά εμφυτεύματα. Το ηλεκτρόδιο καταγραφής σημάτων του βιο-ενισχυτή συνδέεται άμεσα στην είσοδο ενός ενισχυτή χαμηλού θορύβου ο οποίος περιλαμβάνει στην ανάδρασή του έναν ολοκληρωτή Miller. Ο ολοκληρωτής, επιτυγχάνοντας μεγάλη χρονική σταθερά, προσδίδει στον βιο-ενισχυτή την ικανότητα απόρριψης ανεπιθύμητων σημάτων χαμηλών συχνοτήτων καθώς θέτει την χαμηλή συχνότητα αποκοπής του στα 121.5 Hz. Η μεγάλη χρονική σταθερά του ολοκληρωτή προκύπτει από μια δομή διοδικών τρανζίστορ που παρουσιάζει υψηλή αντίσταση και επιτρέπει την χρήση πυκνωτή μειωμένης χωρητικότητας και επιφάνειας. Η σχεδίαση του ενισχυτή υπό τους περιορισμούς που προκύπτουν από την χαμηλή τάση τροφοδοσίας της τεχνολογίας 90 nm, 1.2 V, έγινε με την μεθοδολογία του δείκτη αναστροφής (IC). Το κέρδος του ενισχυτή στη μέση ζώνη είναι 46.8 dB, το εύρος ζώνης του 10.84 kHz, ο θόρυβος στην είσοδό 5.8 μVrms και η κατανάλωση 8.4 μW.
Copyright © DIAS 2013
