Ιδρυματικό Αποθετήριο
Πολυτεχνείο Κρήτης
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN
|
EL
| URI: | http://purl.tuc.gr/dl/dias/70262754-54A6-4249-8B98-02A399F9E211 | ||
| Έτος | 2025 | ||
| Τύπος | Διπλωματική Εργασία | ||
| Άδεια Χρήσης |
|
||
| Βιβλιογραφική Αναφορά | Ρούσσα-Δέσποινα Μπουντουράκη, "Σχεδίαση ενισχυτή χαμηλού θορύβου για σταθμό βάσης 5G NR (New Radio) με τεχνολογία GaN και FDSOI", Διπλωματική Εργασία, Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών, Πολυτεχνείο Κρήτης, Χανιά, Ελλάς, 2025 https://doi.org/10.26233/heallink.tuc.104094 | ||
| Εμφανίζεται στις Συλλογές |
Η διαρκώς αυξανόμενη ζήτηση για υψηλούς ρυθμούς μετάδοσης δεδομένων σε συστήματα ασύρματης επικοινωνίας τύπου 5G New Radio (NR) καθιστά αναγκαία τη σχεδίαση αποδοτικών μονάδων RF Front End Modules (FEM). Ιδιαίτερα κρίσιμος στην μεριά του δέκτη είναι ο ρόλος του Ενισχυτή Χαμηλού Θορύβου (LNA - Low Noise Amplifier), ο οποίος ενισχύει τα ασθενή σήματα που λαμβάνονται από την κεραία, με ελάχιστο πρόσθετο θόρυβο. Η παρούσα εργασία εστιάζει στον κυκλωματικό σχεδιασμό ενός LNA με κεντρική συχνότητα λειτουργίας στα 5GHz, για χρήση σε σταθμό βάσης 5G NR, αξιοποιώντας δύο από τις βασικότερες ιδιαίτερα υποσχόμενες τεχνολογικές πλατφόρμες: τη τεχνολογία 150nm GaN HEMT και την τεχνολογία 22nm CMOS FDSOI. Και στις δύο περιπτώσεις εφαρμόστηκε τοπολογία Cascode με Inductive Source Degeneration, για βελτιστοποιημένη απόδοση και σταθερότητα. Ο σχεδιασμός στην FDSOI απέδωσε NF = 0.9 dB και Gain = 21.5 dB, ενώ στην GaN HEMT, NF = 0.65 dB και Gain = 15.1 dB. Τα αποτελέσματα υπογραμμίζουν τα πλεονεκτήματα κάθε τεχνολογίας για προηγμένες 5G εφαρμογές.
Copyright © DIAS 2013
