Αναζήτηση

Πλοήγηση

• Κοινότητες
• Συγγραφείς
• Έτος
• Τίτλοι
• Θέματα

Ο Χώρος μου

• Είσοδος

Ηλεκτρικός χαρακτηρισμός τρανζίστορ υψηλής κινητικότητας ηλεκτρονίων Νιτριδίου του Γαλλίου (GaN HEMTs)

Koumpias Leonidas

Πλήρης Εγγραφή

---

Περίληψη

Οι αυξανόμενες απαιτήσεις των σύγχρονων ηλεκτρονικών εφαρμογών για τρανζίστορ υψηλής απόδοσης ισχύος και λειτουργίας σε υψηλές συχνότητες, σε συνδυασμό με την ανάγκη για μικρό μέγεθος, υψηλή ενεργειακή απόδοση καθώς και λειτουργία σε υψηλή θερμοκρασία, έχουν οδηγήσει σε αυξανόμενη ζήτηση για τρανζίστορ σύνθετων ημιαγωγών υψηλής κινητικότητας ηλεκτρονίων, όπως τα τα τρανζίστορ GaN HEMT (High Electron Mobility Transistor).Στην παρούσα διπλωματική εργασία πραγματοποιείται σύντομη ανάλυση της δομής και λειτουργίας της διάταξης GaN HEMT, καθώς και μελέτη του ευρέος πεδίου εφαρμογών της, όπως ενισχυτές ισχύος RF (RF PAs), μετατροπείς ισχύος (inverters), ραντάρ κ.ά. Βασικός στόχος της εργασίας είναι ο πλήρης πειραματικός χαρακτηρισμός διατάξεων GaN HEMT, τα οποία έχουν αναπτηχθεί από το Ινστιτούτο Ηλεκτρονικής Δομής και Λέϊζερ του ΙΤΕ (IESL-FORTH) στο Ηράκλειο. Στο Εργαστήριο Ηλεκτρονικής της Σχολής ΗΜΜΥ πραγματοποιήθηκε εκστρατεία on-wafer μετρήσεων ακριβείας τύπου ρεύμα-τάσης (IV) και χωρητικότητας-τάσης (CV) , σε ευρείο φάσμα θερμοκρασίας. Ο χαρακτηρισμός αυτός καθιστά δυνατή την μοντελοποίησή της μέσω του μοντέλου EPFL HEMT.Κατόπιν τούτου, παρουσιάζονται οι μέθοδοι προσδιορισμού των παραμέτρων μοντέλου φορτίων των HEMT, όπως η χωρητικότητα φραγμού Cb, η τάση κατωφλίου VTH, ο παράγων κλίσης n, το ειδικό ρεύμα τεχνολογίας Ispec και η κινητικότητα μ. Επιπρόσθετα, πραγματοποιείται στατιστική ανάλυση της συμπεριφοράς όμοιων HEMT σε ένα wafer, η οποία οδηγεί στην παροχή αξιόπιστων στατιστικών των παραμέτρων αυτών. Συμπερασματικά, ο χαρακτηρισμός αυτός συμβάλλει στην μελλοντική εμπορική αξιοποίηση της τεχνολογίας GaN HEMT του ΙΤΕ.

Διαθέσιμα αρχεία

Υπηρεσίες