Ιδρυματικό Αποθετήριο
Πολυτεχνείο Κρήτης
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN
|
EL
| URI | http://purl.tuc.gr/dl/dias/737BDAFB-9298-4074-9D47-ACB027B0C038 | - |
| Αναγνωριστικό | https://doi.org/10.1002/xrs.1300230211 | - |
| Αναγνωριστικό | https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/xrs.1300230211 | - |
| Γλώσσα | en | - |
| Μέγεθος | 4 pages | en |
| Τίτλος | Efficiency calibration of a Ge(In) semiconductor detector by thin- and thick-arget PIXE† | en |
| Δημιουργός | Kallithrakas-Kontos Nikolaos | en |
| Δημιουργός | Καλλιθρακας-Κοντος Νικολαος | el |
| Δημιουργός | Katsanos Anastasios | en |
| Δημιουργός | Κατσανος Αναστασιος | el |
| Εκδότης | John Wiley and Sons | en |
| Περιγραφή | Δημοσίευση σε επιστημονικό περιοδικό | el |
| Περίληψη | The efficiency of a Ge(In) semiconductor x-ray detector was measured in the energy region 1‒25 keV using proton-induced x-rays from thick targets and from thin targets of standard thickness, and the results of the two calibration methods were compared. A proton energy of 2.00 MeV was used in an external beam facility. A model based on fundamental parameters (mass absorption coefficients, fluorescence yields and relative x-ray emission rates) was used to reproduce the experimental results. | en |
| Τύπος | Peer-Reviewed Journal Publication | en |
| Τύπος | Δημοσίευση σε Περιοδικό με Κριτές | el |
| Άδεια Χρήσης | http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ | en |
| Ημερομηνία | 2015-10-12 | - |
| Ημερομηνία Δημοσίευσης | 1994 | - |
| Θεματική Κατηγορία | Ge(In) semiconductor | en |
| Βιβλιογραφική Αναφορά | N. Kallithrakas-Kontos and A.A. Katsanos, "Efficiency calibration of a Ge(In) semiconductor detector by thin- and thick-arget PIXE" X-Ray Spectrom., vol. 23, no. 2, pp. 96-99, Mar.-Aprl. 1994. doi: 10.1002/xrs.1300230211 | en |
Copyright © DIAS 2013
