Institutional Repository
Technical University of Crete
Technical University of Crete
EN
|
EL
| URI | http://purl.tuc.gr/dl/dias/CE8D2057-FA4D-45CC-97BA-0B6EAEDCD01F | - |
| Identifier | https://doi.org/10.26233/heallink.tuc.64731 | - |
| Language | en | - |
| Extent | 6,1 megabytes | en |
| Title | Χαρακτηρισμός επί ψηφίδας (on Wafer) τρανζίστορ ισχύος τύπου καρβιδίου του πυριτίου (SIC) JFETs | el |
| Title | On-wafer electrical characterization of silicon carbide (SiC) JFETs | en |
| Creator | Vamvoukakis Konstantinos | en |
| Creator | Βαμβουκακης Κωνσταντινος | el |
| Contributor [Thesis Supervisor] | Bucher Matthias | en |
| Contributor [Thesis Supervisor] | Bucher Matthias | el |
| Contributor [Committee Member] | Stavrakakis Georgios | en |
| Contributor [Committee Member] | Σταυρακακης Γεωργιος | el |
| Contributor [Committee Member] | Zekentes, Konstantinos | en |
| Publisher | Πολυτεχνείο Κρήτης | el |
| Publisher | Technical University of Crete | en |
| Academic Unit | Technical University of Crete::School of Electronic and Computer Engineering | en |
| Academic Unit | Πολυτεχνείο Κρήτης::Σχολή Ηλεκτρονικών Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών | el |
| Content Summary | Το καρβίδιο του πυριτίου είναι ένα υποσχόμενο ευρέως χάσματος (wide band-gap) ημιαγωγικό υλικό με πολύ καλές και ελπιδοφόρες ιδιότητες για την κατασκευή ηλεκτρονικών ισχύος που θα μπορούν να λειτουργήσουν σε υψηλότερη ισχύ, θερμοκρασία και συχνότητα ενώ παράλληλα θα έχουν και μικρότερες διακοπτικές απώλειες, απώλειες αγωγής καθώς και μικρότερα ρεύματα διαρροής. Δύο δείγματα που περιλαμβάνουν 4H-SiC Vertical JFETs και 4H-SiC διόδους, κατασκευάστηκαν στην Ομάδα Μικροηλεκτρονικής του ΙΗΔΛ-ΙΤΕ, μελετήθηκαν και χαρακτηρίστηκαν ηλεκτρικά. Η δομή των στοιχείων που υπάρχουν στα δείγματα αυτά, περιγράφεται ενώ παρουσιάζεται και η διαδικασία (λιθογραφικά βήματα) που ακολουθήθηκε για τη κατασκευή των δειγμάτων. Στη συνέχεια παρουσιάζεται μια αναλυτική αναφορά για την ακολουθούμενη διαδικασία του επί ψηφίδα (on-wafer) ηλεκτρικού χαρακτηρισμού. Όλες οι απαραίτητες μετρήσεις και η στατιστική μελέτη που πρέπει να γίνουν τόσο για τα τρανζίστορ όσο και για τις διόδους περιγράφονται λεπτομερώς, μαζί με τις αντίστοιχες συνδεσμολογίες μετρήσεων καθώς και τα σχετικά όρια ασφαλείας. Ο χαρακτηρισμός των δειγμάτων οδηγεί στην εξαγωγή χρήσιμων συμπερασμάτων σχετικά τόσο με την σπουδαιότητα της ακολουθούμενης διαδικασίας χαρακτηρισμού όσο και για την απόδοση των τρανζίστορ και διόδων που μελετήθηκαν. Γίνονται εμφανείς πολλοί συσχετισμοί μεταξύ των δεικτών απόδοσης των στοιχείων και των γεωμετρικών του διαστάσεων. Oι συσχετισμοί αυτοί είναι πάρα πολύ χρήσιμοι στο μελλοντικό σχεδιασμό νέων στοιχείων. Επιπρόσθετα, γίνονται συγκρίσεις μεταξύ των μετρήσεων των τρανζίστορ και προσομοιώσεων με βάση τη θεωρία του στοιχείου ώστε να κρίνουμε σε τι βαθμό υπάρχει συμφωνία μεταξύ τους. | el |
| Type of Item | Μεταπτυχιακή Διατριβή | el |
| Type of Item | Master Thesis | en |
| License | http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ | en |
| Date of Item | 2016-04-18 | - |
| Date of Publication | 2016 | - |
| Subject | Ηλεκτρικός χαρακτηρισμός | el |
| Subject | Καρβίδιο του πυριτίου | el |
| Subject | JFET | en |
| Bibliographic Citation | Konstantinos Vamvoukakis, "On-wafer electrical characterization of silicon carbide (SiC) JFETs", Master Thesis, School of Electronic and Computer Engineering, Technical University of Crete, Chania, Greece, 2016 | en |
| Bibliographic Citation | Κωνσταντίνος Βαμβουκάκης, "Χαρακτηρισμός επί ψηφίδας (on Wafer) τρανζίστορ ισχύος τύπου καρβιδίου του πυριτίου (SIC) JFETs", Μεταπτυχιακή Διατριβή, Σχολή Ηλεκτρονικών Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών, Πολυτεχνείο Κρήτης, Χανιά, Ελλάς, 2016 | el |
Copyright © DIAS 2013
