Ιδρυματικό Αποθετήριο
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN  |  EL

Αναζήτηση

Πλοήγηση

Ο Χώρος μου

Statistical analysis of 1/f noise in enclosed-gate N- and PMOS transistors

Nikolaou Aristeidis, Mavredakis Nikolaos, Bucher Matthias, Habaš Predrag, Acović, Alexandre, Meyer René

Απλή Εγγραφή

URIhttp://purl.tuc.gr/dl/dias/EDF37EBB-CE96-41BF-9707-74A589088EAB-
Αναγνωριστικόhttps://ieeexplore.ieee.org/document/7986018/-
Αναγνωριστικόhttps://doi.org/10.1109/ICNF.2017.7986018-
Γλώσσαen-
ΤίτλοςStatistical analysis of 1/f noise in enclosed-gate N- and PMOS transistorsen
ΔημιουργόςNikolaou Aristeidisen
ΔημιουργόςΝικολαου Αριστειδηςel
ΔημιουργόςMavredakis Nikolaosen
ΔημιουργόςΜαυρεδακης Νικολαοςel
ΔημιουργόςBucher Matthiasen
ΔημιουργόςBucher Matthiasel
ΔημιουργόςHabaš Predragen
ΔημιουργόςAcović, Alexandreen
ΔημιουργόςMeyer Renéen
ΕκδότηςInstitute of Electrical and Electronics Engineersen
ΠερίληψηLow frequency noise (LFN) characteristics can limit the performance of conventional CMOS designs. In the context of this paper enclosed gate N- and P-MOS transistors will be examined regarding LFN mean value and its variability in various biasing conditions. In subthreshold region enclosed gate PMOS transistors show a significantly reduced LFN variability compared to the NMOS counterpart. Both devices present an improved noise performance. The LFN compact MOSFET model applied proved to be well suited to statistically model LFN in enclosed gate transistors.en
ΤύποςΠλήρης Δημοσίευση σε Συνέδριοel
ΤύποςConference Full Paperen
Άδεια Χρήσηςhttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0/en
Ημερομηνία2018-04-25-
Ημερομηνία Δημοσίευσης2017-
Θεματική ΚατηγορίαEnclosed gateen
Θεματική ΚατηγορίαLow frequency noiseen
Θεματική ΚατηγορίαVariabilityen
Βιβλιογραφική ΑναφοράA. Nikolaou, N. Mavredakis, M. Bucher, P. Habas, A. Acovic and R. Meyer, "Statistical analysis of 1/f noise in enclosed-gate N- and PMOS transistors," in International Conference on Noise and Fluctuations, 2017. doi : 10.1109/ICNF.2017.7986018en

Υπηρεσίες

Στατιστικά

 

Copyright © DIAS 2013