Ιδρυματικό Αποθετήριο
Πολυτεχνείο Κρήτης
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN
|
EL
| URI | http://purl.tuc.gr/dl/dias/07573443-AB28-4F1C-BB86-778C115FA01A | - |
| Αναγνωριστικό | https://ieeexplore.ieee.org/document/7954285/ | - |
| Αναγνωριστικό | https://doi.org/10.1109/ICMTS.2017.7954285 | - |
| Γλώσσα | en | - |
| Τίτλος | Variability of low frequency noise and mismatch in enclosed-gate and standard nMOSFETs | en |
| Δημιουργός | Bucher Matthias | en |
| Δημιουργός | Bucher Matthias | el |
| Δημιουργός | Nikolaou Aristeidis | en |
| Δημιουργός | Νικολαου Αριστειδης | el |
| Δημιουργός | Mavredakis Nikolaos | en |
| Δημιουργός | Μαυρεδακης Νικολαος | el |
| Δημιουργός | Makris Nikolaos | en |
| Δημιουργός | Μακρης Νικολαος | el |
| Δημιουργός | Coustans Mathieu | en |
| Δημιουργός | Lolivier, Jérôme 1978- | en |
| Δημιουργός | Habaš Predrag | en |
| Δημιουργός | Acović, Alexandre | en |
| Δημιουργός | Meyer René | en |
| Εκδότης | Institute of Electrical and Electronics Engineers | en |
| Περίληψη | Variability of Low Frequency Noise (LFN) and Random Telegraph Noise (RTN) is an important concern for many analog CMOS integrated circuits. In this paper, transistors with enclosed gate layout are examined and compared with standard layout transistors, with particular emphasis on weak inversion region. Enclosed gate transistors show an improved gate voltage mismatch in weak inversion. A compact MOSFET model for LFN and its variability, based on number fluctuation theory, is shown to cover well the behavior of either type of transistors. Lower levels of noise as well as lower variability of noise are observed in enclosed gate transistors. | en |
| Τύπος | Πλήρης Δημοσίευση σε Συνέδριο | el |
| Τύπος | Conference Full Paper | en |
| Άδεια Χρήσης | http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ | en |
| Ημερομηνία | 2018-05-08 | - |
| Ημερομηνία Δημοσίευσης | 2017 | - |
| Θεματική Κατηγορία | LFN | en |
| Θεματική Κατηγορία | Low Frequency Noise | en |
| Θεματική Κατηγορία | RTN | en |
| Θεματική Κατηγορία | Random Telegraph Noise | en |
| Θεματική Κατηγορία | MOSFET | en |
| Βιβλιογραφική Αναφορά | M. Bucher, A. Nikolaou, N. Mavredakis, N. Makris, M. Coustans, J. Lolivier, P. Habas, A. Acovic and R. Meyer, "Variability of low frequency noise and mismatch in enclosed-gate and standard nMOSFETs" in International Conference on Microelectronic Test Structures, 2017. doi: 10.1109/ICMTS.2017.7954285 | en |
Copyright © DIAS 2013
