Ιδρυματικό Αποθετήριο
Πολυτεχνείο Κρήτης
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN
|
EL
| URI | http://purl.tuc.gr/dl/dias/4A45A9E9-F32E-4605-85BB-3A15A5888242 | - |
| Αναγνωριστικό | https://www.scientific.net/MSF.858.913 | - |
| Αναγνωριστικό | https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.858.913 | - |
| Γλώσσα | en | - |
| Μέγεθος | 4 pages | en |
| Τίτλος | Modelling of 4H-SiC VJFETS with self-aligned contacts | en |
| Δημιουργός | Zekentes, Konstantinos | en |
| Δημιουργός | Vassilevski Konstantin V. | en |
| Δημιουργός | Stavrinidis Antonis | en |
| Δημιουργός | Konstantinidis Georgios | en |
| Δημιουργός | Κωνσταντινιδης Γεωργιος | el |
| Δημιουργός | Kayambaki Maria | en |
| Δημιουργός | Vamvoukakis Konstantinos | en |
| Δημιουργός | Βαμβουκακης Κωνσταντινος | el |
| Δημιουργός | Vassakis Emmanouil | en |
| Δημιουργός | Peyré Hervé | en |
| Δημιουργός | Makris Nikolaos | en |
| Δημιουργός | Μακρης Νικολαος | el |
| Δημιουργός | Bucher Matthias | en |
| Δημιουργός | Bucher Matthias | el |
| Δημιουργός | Schmid Patrick | el |
| Δημιουργός | Stefanakis Dionyssios | en |
| Δημιουργός | Tassis, Dimitrios | en |
| Εκδότης | Trans Tech Publications | en |
| Περίληψη | Purely vertical 4H-SiC JFETs have been modeled by using three different approaches: the analytical model, the finite element model and the compact model. The results of the modelling have been compared with experimental results obtained on a series of fabricated self-aligned devices with two different channel lengths (0.3 and 1.1μm) and various channel widths (1.5, 2, 2.5, 3, 4 and 5 μm). For all the considered models I-V and C-V characteristics could be satisfactorily simulated. | en |
| Τύπος | Πλήρης Δημοσίευση σε Συνέδριο | el |
| Τύπος | Conference Full Paper | en |
| Άδεια Χρήσης | http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ | en |
| Ημερομηνία | 2018-11-16 | - |
| Ημερομηνία Δημοσίευσης | 2016 | - |
| Θεματική Κατηγορία | Compact model | en |
| Θεματική Κατηγορία | JFET | en |
| Θεματική Κατηγορία | TCAD | en |
| Θεματική Κατηγορία | Transistor | en |
| Βιβλιογραφική Αναφορά | K. Zekentes, K. Vassilevski, A. Stavrinidis, G. Konstantinidis, M. Kayambaki, K. Vamvoukakis, E. Vassakis, H. Peyre, N. Makris, M. Bucher, P. Schmid, D. Stefanakis, and D. Tassis, "Modelling of 4H-SiC VJFETS with self-aligned contacts," in 16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, 2016, pp. 913-916. doi: 10.4028/www.scientific.net/MSF.858.913 | en |
Copyright © DIAS 2013
