Ιδρυματικό Αποθετήριο
Πολυτεχνείο Κρήτης
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN
|
EL
| URI | http://purl.tuc.gr/dl/dias/26226CA0-D138-4FCF-A9EB-7AE390F14254 | - |
| Αναγνωριστικό | https://doi.org/10.23919/MIXDES.2018.8436809 | - |
| Αναγνωριστικό | https://ieeexplore.ieee.org/document/8436809 | - |
| Γλώσσα | en | - |
| Μέγεθος | 6 pages | en |
| Τίτλος | Investigation of scaling and temperature effects in total ionizing dose (TID) experiments in 65 nm CMOS | en |
| Δημιουργός | Chevas Loukas | en |
| Δημιουργός | Χεβας Λουκας | el |
| Δημιουργός | Nikolaou Aristeidis | en |
| Δημιουργός | Νικολαου Αριστειδης | el |
| Δημιουργός | Bucher Matthias | en |
| Δημιουργός | Bucher Matthias | el |
| Δημιουργός | Makris Nikolaos | en |
| Δημιουργός | Μακρης Νικολαος | el |
| Δημιουργός | Papadopoulou Alexia | en |
| Δημιουργός | Παπαδοπουλου Αλεξια | el |
| Δημιουργός | Zografos Apostolos | en |
| Δημιουργός | Ζωγραφος Αποστολος | el |
| Δημιουργός | Borghello Giulio | en |
| Δημιουργός | Koch Henri D. | en |
| Δημιουργός | Faccio Federico | en |
| Εκδότης | Institute of Electrical and Electronics Engineers | en |
| Περίληψη | Ten-fold radiation levels are expected in the upgrade of the High-Luminosity Large Hadron Collider (HL-LHC) at CERN. Bulk silicon CMOS at 65 nm offers appreciable advantages among cost, performance, and resilience to high Total Ionizing Dose (TID). In the present paper, geometrical scaling of key analog design parameters of MOS transistors irradiated at high TID is investigated. Experiments are carried out for TID of 100, 200 and up to 500 Mrad(SiO2) and at -30°C, 0°C, and 25°C. We find that parameters are least degraded at -30°C. However, short-channel NMOSTs show a significant degradation of slope factor, which is more severe at 0°C than at 25°C. In contrast, the slope factor in short-channel PMOSTs shows lowest sensitivity to high TID. | en |
| Τύπος | Πλήρης Δημοσίευση σε Συνέδριο | el |
| Τύπος | Conference Full Paper | en |
| Άδεια Χρήσης | http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ | en |
| Ημερομηνία | 2019-06-19 | - |
| Ημερομηνία Δημοσίευσης | 2018 | - |
| Θεματική Κατηγορία | Analog parameter | en |
| Θεματική Κατηγορία | High Luminosity-Large Hadron Collider | en |
| Θεματική Κατηγορία | Ionizing radiation | en |
| Θεματική Κατηγορία | MOSFET | en |
| Θεματική Κατηγορία | Total ionizing dose (TID) | en |
| Βιβλιογραφική Αναφορά | L. Chevas, A. Nikolaou, M. Bucher, N. Makris, A. Papadopoulou, A. Zografos, G. Borghello, H. D. Koch and E. Faccio, "Investigation of scaling and temperature effects in total ionizing dose (TID) experiments in 65 nm CMOS" in 25th International Conference "Mixed Design of Integrated Circuits and Systems", 2018, pp. 313-318. doi: 10.23919/MIXDES.2018.8436809 | en |
Copyright © DIAS 2013
