Ιδρυματικό Αποθετήριο
Πολυτεχνείο Κρήτης
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN
|
EL
| URI | http://purl.tuc.gr/dl/dias/8841AE2A-55D0-4528-BA95-4D4F867B038C | - |
| Αναγνωριστικό | https://doi.org/10.1109/ICMTS.2018.8383790 | - |
| Αναγνωριστικό | https://ieeexplore.ieee.org/document/8383790 | - |
| Γλώσσα | en | - |
| Μέγεθος | 5 pages | en |
| Τίτλος | Total ionizing dose effects on analog performance of 65 nm bulk CMOS with enclosed-gate and standard layout | en |
| Δημιουργός | Bucher Matthias | en |
| Δημιουργός | Bucher Matthias | el |
| Δημιουργός | Nikolaou Aristeidis | en |
| Δημιουργός | Νικολαου Αριστειδης | el |
| Δημιουργός | Papadopoulou Alexia | en |
| Δημιουργός | Παπαδοπουλου Αλεξια | el |
| Δημιουργός | Makris Nikolaos | en |
| Δημιουργός | Μακρης Νικολαος | el |
| Δημιουργός | Chevas Loukas | en |
| Δημιουργός | Χεβας Λουκας | el |
| Δημιουργός | Borghello Giulio | en |
| Δημιουργός | Koch Henri D. | en |
| Δημιουργός | Faccio Federico | en |
| Εκδότης | Institute of Electrical and Electronics Engineers | en |
| Περίληψη | High doses of ionizing irradiation cause significant shifts in design parameters of standard bulk silicon CMOS. Analog performance of a commercial 65 nm CMOS technology is examined for standard and enclosed gate layouts, with Total Ionizing Dose (TID) up to 500 Mrad(SiO2). The paper provides insight into geometrical and bias dependence of key design parameters such as threshold voltage, DIBL, transconductance efficiency, slope factor, and intrinsic gain. A modeling approach for an efficient representation of saturation transfer characteristics under TID from weak through moderate and strong inversion and over channel length is discussed. | en |
| Τύπος | Πλήρης Δημοσίευση σε Συνέδριο | el |
| Τύπος | Conference Full Paper | en |
| Άδεια Χρήσης | http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ | en |
| Ημερομηνία | 2019-09-06 | - |
| Ημερομηνία Δημοσίευσης | 2018 | - |
| Θεματική Κατηγορία | Analog parameters | en |
| Θεματική Κατηγορία | Enclosed layout | en |
| Θεματική Κατηγορία | Modeling | en |
| Θεματική Κατηγορία | MOSFET | en |
| Θεματική Κατηγορία | Parameter extraction | en |
| Θεματική Κατηγορία | Radiation hardness | en |
| Θεματική Κατηγορία | Total ionizing dose | en |
| Βιβλιογραφική Αναφορά | M. Bucher, A. Nikolaou, A. Papadopoulou, N. Makris, L. Chevas, G. Borghello, H.D. Koch and F. Faccio, "Total ionizing dose effects on analog performance of 65 nm bulk CMOS with enclosed-gate and standard layout," in IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures, 2018, pp. 166-170. doi: 10.1109/ICMTS.2018.8383790 | en |
Copyright © DIAS 2013
