Institutional Repository
Technical University of Crete
Technical University of Crete
EN
|
EL
| URI | http://purl.tuc.gr/dl/dias/2307994D-163A-4031-AF24-C4D7BD24C2AE | - |
| Identifier | https://doi.org/10.26233/heallink.tuc.84478 | - |
| Language | en | - |
| Extent | 79 pages | el |
| Title | Integrated mmWave FEM For 5G Communications | en |
| Title | Ολοκληρωμένη μικροκυματική μονάδα για επικοινωνίες 5ης γενιάς | el |
| Creator | Papadimitriou Aggelos | en |
| Creator | Παπαδημητριου Αγγελος | el |
| Contributor [Committee Member] | Bletsas Aggelos | en |
| Contributor [Committee Member] | Μπλετσας Αγγελος | el |
| Contributor [Thesis Supervisor] | Bucher Matthias | en |
| Contributor [Thesis Supervisor] | Bucher Matthias | el |
| Contributor [Committee Member] | Vlassis Spyridon | en |
| Publisher | Πολυτεχνείο Κρήτης | el |
| Publisher | Technical University of Crete | en |
| Academic Unit | Technical University of Crete::School of Electrical and Computer Engineering | en |
| Academic Unit | Πολυτεχνείο Κρήτης::Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών | el |
| Content Summary | In just the past year, preliminary interest and discussions about a possible 5G standard have evolved into a fullfledged conversation that has captured the attention and imagination of researchers and engineers around the world. This thesis presents an integrated front end module intended for use in 5th generation communications transceivers. The chip that has been designed includes a two stage cascode common source low noise amplifier and a five stack power amplifier. The low noise amplifier achieves a maximum small signal gain of 16.5dB and noise figure of 4.01dB, while the power amplifier achieves a maximum saturated power of 19dBm and a maximum power added efficiency of 30%. The total area of the testchip is roughly 3.3mm2 including the DC and RF testpads. | en |
| Content Summary | Τα τελευταία μόλις χρόνια, το αρχικό ενδιαφέρον και οι συζητήσεις για ένα πιθανό πρότυπο 5G έχουν μετατραπεί σε ένα μείζον ζήτημα που έχει τραβήξει την προσοχή και τη φαντασία των ερευνητών και μηχανικών ολόκληρου του πλανήτη. Αυτή η μεταπτυχιακή εργασία έχει ως στόχο να παρουσιάσει μια ολοκληρωμένη μονάδα front-end με εφαρμογή σε πομποδέκτες για τηλεπικοινωνίες 5ης γενιάς. Το τσιπ που σχεδιάστηκε περιλαμβάνει έναν δισταδιακό ενισχυτή χαμηλού θορύβου (LNA) και έναν 5-stack ενισχυτή ισχύος (PA). Ο LNA επιτυγχάνει μέγιστο κέρδος 16.5dB και noise figure (NF) 4.01dB, ενώ ο PA επιτυγχάνει μέγιστη ισχύ εξόδου 19dBm με απόδοση 30%. Η συνολική επιφάνεια του τσιπ είναι περίπου 3.3mm2 συμπεριλαμβάνοντας τις επαφές για DC και RF. | el |
| Type of Item | Μεταπτυχιακή Διατριβή | el |
| Type of Item | Master Thesis | en |
| License | http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ | en |
| Date of Item | 2020-02-07 | - |
| Date of Publication | 2020 | - |
| Subject | FEM | en |
| Subject | IC design | en |
| Bibliographic Citation | Aggelos Papadimitriou, "Integrated mmWave FEM For 5G Communications", Master Thesis, School of Electrical and Computer Engineering, Technical University of Crete, Chania, Greece, 2020 | en |
| Bibliographic Citation | Άγγελος Παπαδημητρίου, "Ολοκληρωμένη μικροκυματική μονάδα για επικοινωνίες 5ης γενιάς", Μεταπτυχιακή Διατριβή, Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών, Πολυτεχνείο Κρήτης, Χανιά, Ελλάς, 2020 | el |
Copyright © DIAS 2013
