Ιδρυματικό Αποθετήριο
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN  |  EL

Αναζήτηση

Πλοήγηση

Ο Χώρος μου

Compact modeling of low frequency noise and thermal noise in junction field effect transistors

Makris Nikolaos, Chevas Loukas, Bucher Matthias

Απλή Εγγραφή


URIhttp://purl.tuc.gr/dl/dias/15E40951-8CD8-4825-9637-7B98DEF113C4-
Αναγνωριστικόhttps://doi.org/10.1109/ESSDERC.2019.8901775-
Αναγνωριστικόhttps://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/8901775-
Γλώσσαen-
Μέγεθος4 pagesen
ΤίτλοςCompact modeling of low frequency noise and thermal noise in junction field effect transistorsen
ΔημιουργόςMakris Nikolaosen
ΔημιουργόςΜακρης Νικολαοςel
ΔημιουργόςChevas Loukasen
ΔημιουργόςΧεβας Λουκαςel
ΔημιουργόςBucher Matthiasen
ΔημιουργόςBucher Matthiasel
ΕκδότηςInstitute of Electrical and Electronics Engineersen
ΠερίληψηThis paper presents a novel charge-based approach to modeling bias-dependent noise in junction field-effect transistors (JFETs). Low frequency noise as well as thermal noise aspects are modeled within the recent charge-based model of the double-gate (DG) JFET. For low frequency noise, mobility fluctuations according to the Hooge model is addressed. Thermal noise is expressed within the charge-based modeling approach. The models are validated with respect to TCAD simulations and show correct dependence over a range of gate and drain bias. A custom setup for low frequency noise measurement of JFETs is described. Noise measurements of n-JFETs are discussed, and the compact model is compared with the measurement.en
ΤύποςΠλήρης Δημοσίευση σε Συνέδριοel
ΤύποςConference Full Paperen
Άδεια Χρήσηςhttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0/en
Ημερομηνία2020-04-23-
Ημερομηνία Δημοσίευσης2019-
Θεματική ΚατηγορίαCompact modelen
Θεματική ΚατηγορίαJFETen
Θεματική ΚατηγορίαJunction field effect transistoren
Θεματική ΚατηγορίαLow frequency noiseen
Θεματική ΚατηγορίαSemiconductor device measurementen
Θεματική ΚατηγορίαThermal noiseen
Βιβλιογραφική ΑναφοράN. Makris, L. Chevas and M. Bucher, "Compact modeling of low frequency noise and thermal noise in junction field effect transistors," in 49th European Solid-State Device Research Conference, 2019, pp. 198-201. doi: 10.1109/ESSDERC.2019.8901775en

Υπηρεσίες

Στατιστικά