Ιδρυματικό Αποθετήριο
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN  |  EL

Αναζήτηση

Πλοήγηση

Ο Χώρος μου

Forward and reverse operation of enclosed-gate MOSFETs and sensitivity to high total ionizing dose

Nikolaou Aristeidis, Chevas Loukas, Papadopoulou Alexia, Makris Nikolaos, Bucher Matthias, Borghello Giulio, Faccio Federico

Απλή Εγγραφή


URIhttp://purl.tuc.gr/dl/dias/031B8C04-E832-4A91-A846-FCF577B29607-
Αναγνωριστικόhttps://doi.org/10.23919/MIXDES.2019.8787098-
Αναγνωριστικόhttps://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/8787098-
Γλώσσαen-
Μέγεθος4 pagesen
ΤίτλοςForward and reverse operation of enclosed-gate MOSFETs and sensitivity to high total ionizing doseen
ΔημιουργόςNikolaou Aristeidisen
ΔημιουργόςΝικολαου Αριστειδηςel
ΔημιουργόςChevas Loukasen
ΔημιουργόςΧεβας Λουκαςel
ΔημιουργόςPapadopoulou Alexiaen
ΔημιουργόςΠαπαδοπουλου Αλεξιαel
ΔημιουργόςMakris Nikolaosen
ΔημιουργόςΜακρης Νικολαοςel
ΔημιουργόςBucher Matthiasen
ΔημιουργόςBucher Matthiasel
ΔημιουργόςBorghello Giulioen
ΔημιουργόςFaccio Federicoen
ΕκδότηςInstitute of Electrical and Electronics Engineersen
ΠερίληψηFrond-end electronics at the High Luminosity-Large Hadron Collider (HL-LHC) at CERN, will be exposed to ten-fold radiation doses. The use of enclosed gate (EG) MOSFETs of 65 nm Bulk CMOS process, is considered to be a viable solution in order to suppress performance degradation effects that occur after high TID exposure. The present paper presents a detailed analysis of the functionality of EG MOSFETs operating under high TID, taking into accountspecific layout characteristics.en
ΤύποςΠλήρης Δημοσίευση σε Συνέδριοel
ΤύποςConference Full Paperen
Άδεια Χρήσηςhttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0/en
Ημερομηνία2020-06-05-
Ημερομηνία Δημοσίευσης2019-
Θεματική ΚατηγορίαEnclosed layouten
Θεματική ΚατηγορίαHigh energy physicsen
Θεματική ΚατηγορίαHigh-Luminosity Large Hadron Collideren
Θεματική ΚατηγορίαMOSFETsen
Θεματική ΚατηγορίαRadiation hardnessen
Θεματική ΚατηγορίαTotal ionizing doseen
Βιβλιογραφική ΑναφοράA. Nikolaou, L. Chevas, A. Papadopoulou, N. Makris, M. Bucher, G. Borghello and F. Faccio, "Forward and reverse operation of enclosed-gate MOSFETs and sensitivity to high total ionizing dose," in 26th International Conference "Mixed Design of Integrated Circuits and Systems", 2019, pp. 306-309. doi: 10.23919/MIXDES.2019.8787098en

Υπηρεσίες

Στατιστικά