Ιδρυματικό Αποθετήριο
Πολυτεχνείο Κρήτης
Πολυτεχνείο Κρήτης
EN
|
EL
| URI | http://purl.tuc.gr/dl/dias/8C751A60-2C73-4922-A2F2-6E38608D9356 | - |
| Αναγνωριστικό | https://ieeexplore.ieee.org/document/7985942/ | - |
| Αναγνωριστικό | https://doi.org/10.1109/ICNF.2017.7985942 | - |
| Γλώσσα | en | - |
| Τίτλος | Statistical compact modeling of low frequency noise in buried-channel, native, and standard MOSFETs | en |
| Δημιουργός | Mavredakis Nikolaos | en |
| Δημιουργός | Μαυρεδακης Νικολαος | el |
| Δημιουργός | Bucher Matthias | en |
| Δημιουργός | Bucher Matthias | el |
| Δημιουργός | Habaš Predrag | en |
| Δημιουργός | Acović, Alexandre | en |
| Δημιουργός | Meyer René | en |
| Εκδότης | Institute of Electrical and Electronics Engineers | en |
| Περίληψη | In this paper, Buried-Channel and Native MOSFETs are thoroughly investigated in terms of Low Frequency Noise (LFN) variability for different bias and area conditions. These devices are compared with standard bulk CMOS transistors indicating lower levels of LFN regarding both its mean value and its variability. Moreover a recently proposed compact MOSFET model for LFN and its variability, is validated with excellent results. More specifically, it covers the increase of noise deviation in weak inversion and generally its strong bias-dependence in larger devices while it also gives consistent results regarding the scaling of LFN variability. | en |
| Τύπος | Πλήρης Δημοσίευση σε Συνέδριο | el |
| Τύπος | Conference Full Paper | en |
| Άδεια Χρήσης | http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ | en |
| Ημερομηνία | 2018-04-25 | - |
| Ημερομηνία Δημοσίευσης | 2017 | - |
| Θεματική Κατηγορία | Buried channel | en |
| Θεματική Κατηγορία | Compact model | en |
| Θεματική Κατηγορία | Low frequency noise | en |
| Θεματική Κατηγορία | MOSFET | en |
| Θεματική Κατηγορία | Native | en |
| Θεματική Κατηγορία | Variability | en |
| Βιβλιογραφική Αναφορά | N. Mavredakis, M. Bucher, P. Habas, A. Acovic and R. Meyer, "Statistical compact modeling of low frequency noise in buried-channel, native, and standard MOSFETs," in International Conference on Noise and Fluctuations, 2017. doi: 10.1109/ICNF.2017.7985942 | en |
Copyright © DIAS 2013
